时识科技发布全新一代超低功耗高通量侵入式脑机接口芯片
栏目:行业动态 发布时间:2026-01-28
   上证报中国证券网讯(记者 闫刘梦)近日,时识科技携手苏黎世神经信息研究所正式发布新一代超低功耗、高通量侵入式脑机接口芯片方案。据悉,该方案采用全球独创的

  

时识科技发布全新一代超低功耗高通量侵入式脑机接口芯片(图1)

  上证报中国证券网讯(记者 闫刘梦)近日,时识科技携手苏黎世神经信息研究所正式发布新一代超低功耗、高通量侵入式脑机接口芯片方案。据悉,该方案采用全球独创的事件驱动的神经形态架构,攻克了高密度神经信号采集与实时处理的能效难题,较NeuKaiyunralink、Intan等现有方案能效提升10-100倍,为长期植入式脑机接口系统提供了可量产、高可靠性的硬件基础。

  上证报中国证券网讯(记者 闫刘梦)近日,时识科技携手苏黎世神经信息研究所正式发布新一代超低功耗、高通量侵入式脑机接口芯片方案。据悉,该方案采用全球独创的事件驱动的神经形态架构,攻克了高密度神经信号采集与实时处理的能效难题,较Neuralink、Intan等现有方案能效提升10-100倍,为长期植入式脑机接口系统提供了可量Kaiyun产、高可靠性的硬件基础。返回搜狐,查看更多